中国组织工程研究 ›› 2010, Vol. 14 ›› Issue (45): 8411-8415.doi: 10.3969/j.issn.1673-8225.2010.45.013
• 干细胞培养与分化 stem cell culture and differentiation • 上一篇 下一篇
万丽丹1,丁文龙2,李 峰2,夏 蓉2,朱 浩2,刘德明1,林雪群1
Wan Li-dan1, Ding Wen-long2, Li Feng2, Xia Rong2, Zhu Hao2, Liu De-ming1, Lin Xue-qun1
摘要:
背景:周围神经系统损伤后,短时低频电刺激已被证明可显著促进轴突再生和选择性功能修复,但目前对电刺激是否影响周围神经髓鞘的形成还知之甚少,而电刺激发挥作用究竟是通过神经元还是许旺细胞还有待证实。 目的:建立体外背根神经元与许旺细胞联合培养模型,观察短时低频电刺激对许旺细胞髓鞘形成的影响。 方法:体外培养背根神经元,纯化后预先施予电刺激(20 Hz,100 μs,3 V),持续作用1 h,24 h后再加入许旺细胞悬液制成背根神经元/许旺细胞联合培养模型。在此基础上,用L-ascorbic acid诱导髓鞘形成,分别于诱导后第7,14天观察培养体系中髓鞘的形成。 结果与结论:电刺激增强背根神经元分泌脑源性神经营养因子(P < 0.05),经电刺激作用的背根神经元再与许旺细胞联合培养,最终表现为髓鞘形成增多以及髓鞘蛋白表达上调(P < 0.05)。提示短时低频电刺激对体外许旺细胞髓鞘的形成具有促进作用,初步认为该作用至少通过刺激神经元分泌脑源性神经营养因子增多导致。
中图分类号: