中国组织工程研究 ›› 2011, Vol. 15 ›› Issue (34): 6292-6295.doi: 10.3969/j.issn.1673-8225.2011.34.006
• 膜生物材料 membrane biomaterials • 上一篇 下一篇
张玉勤,吴回君,蒋业华,周 荣
Zhang Yu-qin, Wu Hui-jun, Jiang Ye-hua, Zhou Rong
摘要:
背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象。 目的:观察氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性。 方法: 利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了氟掺杂氧化锡薄膜在温度分别为25 ℃和50 ℃、浓度为1 mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性。 结果与结论:在3种介质溶液中,氟掺杂氧化锡薄膜在25 ℃的NaCl和Na2SO4溶液中ΔR/R值变化极小,而在25 ℃的NaOH溶液中ΔR/R值变化要远大于前两者;氟掺杂氧化锡薄膜在50 ℃的NaOH、NaCl、Na2SO4 3种介质溶液中ΔR/R变化值显示出了相同的变化规律,随着浸泡时间的延长,ΔR/R值发生了明显的迅速增大,薄膜导电性能快速下降;氟掺杂氧化锡薄膜在3种介质溶液中的电学稳定性从好到差依次为:NaCl>Na2SO4>NaOH。
中图分类号: